2014.04.30

148GB/平方英寸 索尼研发出全球最高存储密度的磁带

存储量约可达传统磁带媒体的74倍

日本,东京 — 索尼公司今天宣布已独立研发出一项磁带存储技术,该技术使用物理溅射沉积的方法制造出拥有平滑表面的软磁带底层,同时还创造出具有细磁颗粒和统一结晶朝向的纳米晶粒磁带层。这一技术令索尼成功研发出全球最高存储密度的磁带,达到148GB/平方英寸。这一存储能力相当于传统主流涂层磁带的74倍,每盘磁带的存储数据量达到185TB。
索尼将于5月4日在德国德累斯顿举行的国际磁学会议2014(Intermag2014)上,与协助测定并评估新技术记录密度的IBM共同发布此成果。


 近年来,自然灾害后数据中心、服务器等信息系统的快速修复,以及信息安全管理越发重要,各公司都在推动设立新的数据系统。此外,随着云服务的扩大,新市场开拓中大数据的应用,大容量数据存储媒体的市场需求不断增长。
现有的磁带存储媒体以在胶带上涂抹磁粉的磁带为主流,这种技术使用了大小为数十纳米量级的磁性粒子,在采用线性记录方式的LTO格式最高数据协议LTO6(非压缩)的情况下,记录密度约为2Gb/平方英寸,记录容量为2.5TB(非压缩)。
过去,涂层型磁带通过不断改进磁粉的细微化技术,实现了高密度数据记录。涂层型磁带在生产方面具有一定优势,但面向未来的高记录密度需求,如何生产出更微小的磁性粒子在技术上面临很大难题。
索尼通过研发出一种新的真空薄膜制造技术,制造出非常细腻的结晶颗粒,旨在由此创造出切实可用的新一代存储媒体。这项新技术利用物理溅射沉积的方法(一种新的真空薄膜制造技术),在厚度仅为5微米的高分子膜上制造出多层次且朝向相同的结晶颗粒,而此前,当使用物理溅射沉积的方法向高分子膜上安置细磁颗粒时,由于软底层表面不够平滑,使得底层结晶颗粒的朝向不一致。这样,上面的纳米晶粒磁带层也会产生晶体朝向不一致以及细磁颗粒大小不一的现象,令增加存储密度无法实现。通过优化物理溅射条件和独立开发向一种具有平滑表面的软磁带底层,索尼使降低晶体长度及生长方向不一致成为可能。由此制造出来的纳米晶粒磁带层上的细磁颗粒平均大小为7.7纳米。如果使用一种研发中的记录和验证方式去评测使用了这种技术的磁带,就会得出148GB/平方英寸的全球最高存储密度,相当于传统主流涂层磁带的74倍。
索尼将致力于推动下一代磁带存储媒体的商业化,并继续研发通过溅射沉积方式制作薄膜的技术,以实现更高的记录密度。